SK hynix объявила о выпуске микросхем памяти LPDDR5X-8500 с технологией HKMG
Все большее количество производителей микросхем оперативной памяти LPDDR представляет свои решения LPDDR5X с увеличенной до 8500 MT/s скоростью работы. Если в прошлый раз такой компанией была Samsung, то сегодня такой компанией решила стать SK hynix.
Согласно пресс-релизу, компания объявила о выпуске первой в мире памяти LPDDR5X, изготавливаемой по технологическому процессу 1α (1-альфа), работающей со скоростью 8500 MT/s и оснащенной технологией High-K Metal Gate (HKMG), позволившей снизить рабочее напряжение до 1.01 В и увеличить скорость работы на 33% по сравнению с прошлым поколением.
Снижение рабочего напряжения положительно сказалось на энергопотреблении, которое снизилось на 25% по сравнению с микросхемами прошлого поколения. При необходимости напряжение можно увеличить вплоть до 1.12 В, как и предполагает стандарт JEDEC.
